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| 【LED】LED論壇：聚焦2012成本降低和技術(shù)提升 |
| （時(shí)間:2012-3-27 10:33:07） |
2012年3月21日，與SEMICONChina2012同期舉辦的“LEDChina論壇2012”在上海嘉里中心舉辦，論壇議題聚焦于技術(shù)與市場(chǎng)最前沿：藍(lán)光LED發(fā)明人中村修二教授帶來(lái)極化LED最新研究成果，普瑞光電公布基于8寸硅襯底開(kāi)發(fā)的GaNLED產(chǎn)品的應(yīng)用表現(xiàn)，另外，美國(guó)QDVision公司也介紹了其量子點(diǎn)LED技術(shù)進(jìn)展，而大規(guī)模MOCVD反應(yīng)設(shè)備、低成本LED光刻和照明細(xì)分市場(chǎng)等也成為此次論壇的主要內(nèi)容，特別值得關(guān)注的是，對(duì)于襯底材料（硅襯底）的研發(fā)，此次論壇上有六位演講者在其發(fā)言中重點(diǎn)提及，而“如何提升產(chǎn)量與性能及通過(guò)技術(shù)研發(fā)降低成本”也成為本次論壇的主基調(diào)。
加州大學(xué)圣巴巴拉分校教授、氮化鎵藍(lán)光之父中村修二博士在LEDChina2012論壇上作為重量級(jí)嘉賓特別演講了關(guān)于固態(tài)照明市場(chǎng)的現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，報(bào)告題目為《非極性、準(zhǔn)極性藍(lán)綠光LED及激光管的最新進(jìn)展》。中村修二從專業(yè)視角深度分析了非極性、準(zhǔn)極性氮化鎵相較于傳統(tǒng)的c面氮化鎵在發(fā)光效率、減少藍(lán)移、解決綠光gap方面有著極大優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)詳細(xì)的數(shù)據(jù)圖表進(jìn)行對(duì)比說(shuō)明。非極化、準(zhǔn)極化藍(lán)綠光氮化鎵激光器相較于傳統(tǒng)氮化鎵激光器空穴有效質(zhì)量更小、動(dòng)能矩陣元素更大、更低的透過(guò)載流子密度、更高增益等，將廣泛應(yīng)用于下一代顯示器及投影儀；最后，中村修二教授介紹了課題組采用氨熱法制備大體積氮化鎵晶體的進(jìn)展及成果。
愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司大中華區(qū)副總裁ChristianGeng博士的演講題目為《先進(jìn)MOCVD技術(shù)助力大規(guī)模LED產(chǎn)能與性能提升》。他特別提出，如何提升生產(chǎn)力和提升產(chǎn)品性能將成為未來(lái)趨勢(shì)，尤其要考慮技術(shù)應(yīng)如何盡可能地滿足市場(chǎng)的需求。他在發(fā)言中提到：通過(guò)加大反應(yīng)器尺寸，由2寸晶圓片向4寸、6寸、甚至8寸轉(zhuǎn)化，將大大降低成本；如果和56片機(jī)（二英寸）的產(chǎn)能相比，8片機(jī)（6英寸）MOCVD將提升30%的產(chǎn)能，而成本則會(huì)下降35%。而尺寸增大后，會(huì)直接導(dǎo)致良率下降，而有效控制工藝過(guò)程的一致性及良率問(wèn)題也是關(guān)鍵問(wèn)題。
普瑞光電研發(fā)副總裁LongYang聲稱，普瑞光電明年中期將開(kāi)始8英寸硅襯底的量產(chǎn)，而對(duì)于目前未能量產(chǎn)的原因，普瑞的解釋是“在良率上和可靠性上尚未得到突破”。對(duì)于硅襯底的發(fā)展趨勢(shì)，他認(rèn)為：硅襯底最大的優(yōu)點(diǎn)將體現(xiàn)在產(chǎn)量方面，隨著未來(lái)大規(guī)模生產(chǎn)和工藝的改進(jìn)，硅襯底在生產(chǎn)量和良率上的優(yōu)勢(shì)將得到明顯體現(xiàn)。如果八英寸量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)，將有望一舉打破現(xiàn)有襯底技術(shù)的局限性，整個(gè)行業(yè)的格局或?qū)㈦S之發(fā)生重大變化。
2010年進(jìn)入MOCVD研發(fā)領(lǐng)域的韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商周星工程有限公司全球營(yíng)銷總監(jiān)黃俊凱也詳細(xì)闡述了超大規(guī)模MOCVD技術(shù)降低LED制造成本的情況。他認(rèn)為，未來(lái)襯底材料的改變（硅襯底）將會(huì)提升產(chǎn)量和降低成本，目前周星也已進(jìn)入這一領(lǐng)域的研發(fā)。
LayTecAG公司的業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理ThiemeTom重點(diǎn)分享了實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)對(duì)于提高LED制造良率的重要性，主要關(guān)鍵點(diǎn)在于通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)外延生長(zhǎng)的溫度、曲度及厚度來(lái)判斷整個(gè)外延生長(zhǎng)的情況。
“2020年之前會(huì)發(fā)生什么事情呢，晶元的尺寸會(huì)改變么，我們認(rèn)為一定會(huì)的，而芯片的價(jià)格會(huì)保持穩(wěn)定么，不太可能。同時(shí)，我們更需要注重的是技術(shù)和設(shè)計(jì)系統(tǒng)應(yīng)注重怎樣的創(chuàng)新才能對(duì)未來(lái)趨勢(shì)有更好的適應(yīng)性�！闭搲�，多位發(fā)言人這樣表述了自己的觀點(diǎn)。
最后，科銳中國(guó)區(qū)市場(chǎng)總經(jīng)理兼SEMI中國(guó)LED委員會(huì)主席唐國(guó)慶先生在演講中提出仍堅(jiān)信2012年將是LED照明超越與起飛的一年，唯有通過(guò)創(chuàng)新的技術(shù)才能有效降低成本，才能夠推動(dòng)市場(chǎng)更快更好發(fā)展。
另外，與論壇同期舉辦的SEMICONChina旗下LED制造專區(qū)作為中國(guó)唯一以LED制造為主題展示平臺(tái)也得到業(yè)界高度關(guān)注，SEMICONChina2012LED制造專區(qū)比2011年的規(guī)模增長(zhǎng)了800%。
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